近日，三菱电机宣布，开发出了能够一次将一块多晶碳化硅(SiC)锭切割成40片SiC晶片的多点放电线切割技术。据悉，该技术有望提高SiC晶片加工的生产效率，降低加工成本。
　　据介绍，多点放电线切割技术是将直径为0.1mm的铁类材料制成的金属线以0.6mm的间隔缠绕在导轮上，同时在40处实施放电加工，一次就将SiC锭切割成40片SiC晶片。通过独立控制对每个切割部位的供电，使各切割部位的加工速度实现均一化，从而一次可切割出多片晶片。